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dissipateur de chaleur refroidissement wafer substrat en céramique de nitrure de silicium
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dissipateur de chaleur refroidissement wafer substrat en céramique de nitrure de silicium

    Type de paiement: L/C,T/T,D/P,Paypal,Money Gram,Western Union
    Incoterm: FOB
    Quantité de commande minimum: 1 Piece/Pieces
    Délai de livraison: 15 jours

Informations de base

Modèle: Si3N4 116

Type: assiette

Matériel: Argile

Style: Occidental

Usage: Mariage, Cadeau d'affaires, Usage quotidien, Décoration de jardin, Décoration d'intérieur

Fonctionnalité: chinois

En traitement: Fonderie

Couleur: blanc

Forme: Rond

Âge: Moderne

Décoration de surface: Vitré

Material: Alumina Ceramic

Color: White/Ivory

Size: Customized

Application: Machinery, Industry, Medical, Aerospace Etc.

Additional Info

Détails d'emballage: Personnalisé

marque: Dur

transport: Ocean,Land,Air

Lieu d'origine: Guangdong, Chine

Capacité d'approvisionnement: 1,000,000 pcs/Month

Certificats : SGS

Hafen: Shenzhen

Description du produit

dissipateur de chaleur refroidissement wafer substrat en céramique de nitrure de silicium

La réputation dépend de la qualité, la qualité vient de Difficile!


Céramique de nitrure de silicium:

Le film anodisé est composé de deux couches. La couche externe épaisse et poreuse est formée sur une couche interne dense possédant des propriétés diélectriques. Cette dernière est appelée couche barrière (également appelée couche active). L'observation au microscope électronique a révélé que les faces longitudinales et latérales de la couche de film présentaient presque toutes des trous tubulaires perpendiculaires à la surface métallique, qui pénétraient dans la couche externe du film jusqu'à la couche barrière entre le film d'oxyde et l'interface métallique. L'alumine poreuse est entourée d'alumine dense pour former un corps hexagonal en nid d'abeille appelé cellule unitaire, et la couche de film entière est composée d'une myriade de telles cellules élémentaires. La couche barrière est composée d'oxyde d'aluminium anhydre, mince et dense, de dureté élevée et empêche le passage du courant électrique. La couche barrière a une épaisseur d'environ 0,03 à 0,05 µm, soit 0,5% à 2,0% après le film total. La couche externe poreuse du film d'oxyde est principalement composée d'alumine amorphe et d'une petite quantité d'alumine hydratée, et contient en outre un cation de l'électrolyte. Lorsque l'électrolyte est de l'acide sulfurique, la teneur en sulfate dans la couche de film est normalement de 13% à 17%. La plupart des excellentes propriétés du film d'oxyde sont déterminées par l'épaisseur et la porosité de la couche externe poreuse et elles sont toutes étroitement liées à la condition d'anodisation. L'anodisation est divisée en différentes formes: anodisation en courant continu, anodisation en courant alternatif et anodisation en courant pulsé. Selon l'électrolyte, l'oxydation anodique naturelle de l'acide sulfurique, de l'acide oxalique, de l'acide chromique, de l'acide mixte et de l'acide sulfo-organique est la solution principale. Selon la couche de film, il existe une anodisation telle qu'un film commun, un film dur (film épais), un film de porcelaine, une couche de modification brillante et une couche barrière pour une action semi-conductrice. Le tableau 5 présente les méthodes d'anodisation et les conditions de traitement courantes pour l'aluminium et les alliages d'aluminium. Parmi ceux-ci, l’application de l’anodisation à l’acide sulfurique en courant continu est courante.
Si3N4 chip

propriétés :

Dureté élevée, résistance élevée, résistance à l'usure, résistance à la corrosion, température élevée (1200 ° C ), bonne diffusivité thermique, bonne résistance aux chocs thermiques (éviter que la température change rapidement), bonne isolation, faible densité. Les propriétés complètes sont les meilleures dans la plupart des structures en céramique.


Fiche technique ↓

Couleur: gris noir
Densité: > 3.2g / cm3
Dureté: HRA90
Dureté Vickers (Hv50): 1550 HV0.5
Module d'élasticité: 290Gpa
Résistance à la flexion: > 600Mpa
Résistance à la compression: 2500Mpa
Module d'élasticité (25 ° C): 65Gpa
Ténacité à la rupture: > 6,0 Mpam1 / 2
Température d'utilisation maximale: 1200 ° C
Conductivité thermique: 15-20 W (mK)
Coefficient de dilatation thermique: > 3.1 10-6 / ° C
Résistance aux chocs thermiques: 500 T ° C
Capacité thermique spéciale: 700 KJ / kg.K
Rigidité diélectrique: 1 KV / mm
Constante diélectrique: er
Résistivité de volume (20 ° C): 1.0 * 10 (12) Ω.cm

Secteur d'application :

Machines, électronique, semi-conducteur, produit chimique, pétrole, éperlan.


Application spécifique:

Arbre de soudure, substrat électronique, plongeur, buse, guide coulissant, pièces diesel, moulage de métal, roues d’arbre, etc.


Pourquoi nous choisir?
1,12 ans d'usine de production professionnelle de céramique industrielle
2. produits de haute qualité avec des prix bas
3. pièces de haute précision avec la plus basse tolérance
4. peu de temps pour la production
5.Possède un groupe de R & D expérimenté, professionnel et efficace
6. a une bonne réputation en Chine et à l'étranger.

7.MOQ n'est pas limité, une petite quantité est la bienvenue.

8. équipe vigoureuse et bon service après-vente


Produits Spectacle

silicon nitride



Manufacturing Process


questions - réponses

Q: êtes-vous société commerciale ou fabricant?
Un: nous sommes usine.

Q: combien de temps est votre délai de livraison?
Un: généralement il est 5-10 jours si les marchandises sont en stock. ou il est 15-30 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.

Q: Fournissez-vous des échantillons? est-ce gratuit ou extra?
A: Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement, mais ne payons pas les frais de transport.
Q: Quelles sont vos conditions de paiement?

A: Paiement <= 1000 USD, 100% à l'avance. Paiement> = 1000 USD, 50% T / T à l'avance, solde avant expédition.

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